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MOS場效應管

MOS場效應管

屏蔽柵溝槽型場效應管


屏蔽柵場效應晶體管(shieldedgatetrench,SGT),由于其具有較低的柵漏電容cgd、很低的導通電阻、以及較高的耐壓性能,進而更有利于半導體集成電路的靈活應用。具體而言,在屏蔽柵場效應晶體管中,通過在柵電極的下方設置屏蔽電極,從而可以大幅降低了柵漏電容,并且屏蔽柵場效應晶體管的漂流區(qū)中還具有較高的雜質(zhì)載流子濃度,能夠為器件的擊穿電壓提供額外的益處,相應的可以降低導通電阻。
內(nèi)容詳情

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Part   No. Type ESD Vds Vgs Id Vth Rds(on) Package PDF 
Max Max Max Min Typ Max Vgs=10V Vgs=4.5V
V ±V A V V V
AN20N01ST0 S-N N 100 ±20 74 1.2 2 2.5 6.4 7.7 9.2 11 PDFN5×6-8L

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AN02N08SL0 S-N
N 80 ±20 150
2 4 2 2.8 PDFNWB5×6-8L

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AN03N10VL0 S-N N 100
±20 3.3 1 1.6 2.5 95 130 135 190 SOT-23

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AN11212LT0 S-N N 100 ±20 120 2 4 3.7 4.5 TO-220

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AN030N10LL0 S-N N 100 ±20 195 2 3 4 3 3.6 TO-220C

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AN037N10LL0 S-N N 100 ±25 160 2 3 4 3.7 4.2 TO-220-3L-C

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AN125N10FL0 S-N N 100 ±20 40 1.2 1.8 2.5 12.5 15 17 22 TO-252-2L

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AN100N10FL0 S-N N 100 ±20 53 1.5 2.0 2.5 10 14 14 18 TO-252-2L

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AN080N10FL0 S-N N 100 ±20 65 1.2 2.0 2.8 8 9.5 10.0 14 TO-252-2L

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AN037N10ML0 S-N N 100 ±25 160 2 3 4 3.7 4.2 TO-263-2L

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AN017N10XL0 S-N N 100 ±20 300 2 3 4 1.7 2.2 TOLL-7L

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